科技 类型
可以朗读 语音朗读
233千字 字数
2022-03-01 发行日期
展开全部

主编推荐语

本书介绍了电子微组装可靠性设计方法的应用案例。

内容简介

本书结合实际应用，针对微组装多热源耦合带来的热极限、热降额影响，给出了混合集成电路DC/DC可靠性热设计案例，提出了多热源组件热性能指标和评价规范；针对随机振动对封装和微结构的损伤，分别给出了金属气密封装HIC、行波管的抗振可靠性设计案例；针对内装元器件的可靠性要求，给出了微组装裸芯片筛选与可靠性评价方法；针对微组装和内装元器件故障溯源的要求，提出了基于失效物理的元器件故障树构建方法，以及元器件FTA方法和程序。

本书适合从事电子微组装产品研发设计、工艺可靠性设计、裸芯片筛选评价、故障溯源分析等工作的技术人员学习参考，也可作为板级组件、电子设备可靠性设计的参考资料。

目录

  • 版权信息
  • 内容简介
  • 丛书序
  • 前言
  • 第1章 概述
  • 1.1 微组装可靠性设计方法及核心技术链
  • 1.1.1 失效物理方法及核心技术链
  • 1.1.2 潜在失效机理分析
  • 1.1.3 可靠性设计指标分解
  • 1.1.4 潜在失效评估和优化设计
  • 1.2 微组装热失效及控制方法
  • 1.2.1 微组装热问题
  • 1.2.2 分立器件和元件热特性
  • 1.2.3 多热源组件热特性
  • 1.2.4 可靠性热设计方法
  • 1.3 微组装力学损伤及控制方法
  • 1.3.1 微组装力学问题
  • 1.3.2 金属气密封装抗振可靠性要求
  • 1.3.3 真空电子器件振动失效控制
  • 1.4 微组装材料和内装元器件的可靠性保证
  • 1.4.1 微组装材料的质量保证
  • 1.4.2 内装元器件的可靠性保证
  • 参考文献
  • 英文缩略词及术语
  • 主要符号表
  • 第2章 厚膜混合集成DC/DC可靠性热设计与分析
  • 2.1 DC/DC工作原理及厚膜组装结构
  • 2.1.1 DC/DC工作原理
  • 2.1.2 DC/DC厚膜组装结构
  • 2.2 DC/DC热特性与表征
  • 2.2.1 DC/DC热特性
  • 2.2.2 DC/DC热耦合及热性能表征
  • 2.2.3 VDMOS热生成与微米尺度热区
  • 2.3 DC/DC失效率和寿命模型
  • 2.3.1 DC/DC基本可靠性模型
  • 2.3.2 DC/DC失效率模型
  • 2.3.3 DC/DC耗损寿命模型
  • 2.4 DC/DC热性能仿真与验证
  • 2.4.1 热传递方式及稳态热流路径
  • 2.4.2 基于数值模拟的稳态热仿真
  • 2.4.3 热仿真验证与热模型固化
  • 2.4.4 耦合热阻模拟及结-壳热阻矩阵
  • 2.5 DC/DC热极限设计分析
  • 2.5.1 热极限设计方法
  • 2.5.2 热极限设计指标
  • 2.5.3 极限壳温下内装元器件温度响应
  • 2.5.4 热极限设计指标符合性分析
  • 2.6 针对λ控制的DC/DC热降额设计分析
  • 2.6.1 针对λ控制的热降额设计方法
  • 2.6.2 基于λ的热降额设计指标
  • 2.6.3 稳态工作内装元器件温度响应
  • 2.6.4 DC/DC失效率评估及指标符合性分析
  • 2.6.5 热降额等级指标符合性分析
  • 2.6.6 热降额优化设计分析
  • 2.7 针对耗损寿命的DC/DC热降额设计分析
  • 2.7.1 基于耗损寿命的热降额设计方法
  • 2.7.2 考虑耗损寿命的热降额设计指标
  • 2.7.3 内装器件VDMOS耗损寿命试验评估与建模
  • 2.7.4 内装VDMOS耗损寿命指标符合性分析
  • 参考文献
  • 英文缩略词及术语
  • 主要符号表
  • 第3章 HIC金属气密封装抗振可靠性设计分析
  • 3.1 HIC封装抗振可靠性要求与失效问题
  • 3.1.1 金属气密封装及功能
  • 3.1.2 气密封装抗振可靠性要求
  • 3.1.3 HIC封装振动损伤和疲劳失效问题
  • 3.2 结构谐振分析方法
  • 3.2.1 模态分析和固有频率
  • 3.2.2 谐振损伤模式
  • 3.3 振动疲劳分析方法
  • 3.3.1 金属疲劳失效及其特点
  • 3.3.2 S-N曲线
  • 3.3.3 Miner线性疲劳累积损伤理论
  • 3.3.4 随机载荷谱
  • 3.4 HIC组件振动特性模拟与分析
  • 3.4.1 实体模型和有限元建模
  • 3.4.2 HIC组件振动模态模拟
  • 3.4.3 随机振动载荷下HIC组件应力响应模拟
  • 3.5 HIC组件振动模态及随机振动试验
  • 3.5.1 振动试验夹具设计
  • 3.5.2 锤击法模态试验
  • 3.5.3 声频激励法模态试验
  • 3.5.4 模态试验与模拟结果对比
  • 3.5.5 随机振动试验
  • 3.5.6 随机振动试验与模拟计算结果对比
  • 3.6 HIC组件随机振动疲劳寿命预测
  • 3.6.1 随机振动下材料疲劳寿命预测方法
  • 3.6.2 HIC组件随机振动疲劳寿命预测方法
  • 3.6.3 HIC组件振动疲劳寿命预测
  • 3.7 HIC封装振动疲劳失效机理分析
  • 3.7.1 气密封装外壳振动疲劳失效模式
  • 3.7.2 封装材料振动疲劳影响因素分析
  • 3.7.3 气密封装振动疲劳失效机理
  • 3.8 HIC金属气密封装抗振可靠性设计与分析
  • 3.8.1 平行缝焊焊接原理
  • 3.8.2 平行缝焊质量与可靠性影响因素
  • 3.8.3 焊缝宽度与HIC抗振设计分析
  • 3.8.4 盖板厚度与HIC抗振设计分析
  • 3.8.5 HIC封装抗振可靠性设计解决方案
  • 参考文献
  • 英文缩略词及术语
  • 主要符号表
  • 第4章 行波管抗振可靠性设计
  • 4.1 行波管应用背景
  • 4.1.1 真空电子器件
  • 4.1.2 行波管
  • 4.1.3 行波管的可靠性问题
  • 4.2 使用环境分析
  • 4.3 电子枪组件电参数和结构设计指标
  • 4.3.1 无截获栅控电子枪电参数和设计指标
  • 4.3.2 栅控电子枪的结构可靠性设计
  • 4.4 抗振可靠性设计参考标准
  • 4.4.1 真空电子组件抗振设计要求
  • 4.4.2 相关标准
  • 4.4.3 真空电子组件振动试验内容
  • 4.5 电子枪组件的抗振仿真设计方法
  • 4.5.1 模态分析
  • 4.5.2 谐响应分析
  • 4.5.3 谱分析
  • 4.6 电子枪组件固有振动特性分析
  • 4.6.1 栅控电子枪结构及动力学分析
  • 4.6.2 结构建模分解及边界条件处理
  • 4.6.3 模态计算模型
  • 4.6.4 栅控电子枪的模态分析及结果
  • 4.7 工作状态下的电子枪模态分析
  • 4.7.1 预应力下模态分析基本理论
  • 4.7.2 温度场仿真分析
  • 4.7.3 温度预应力下模态分析结果
  • 4.8 行波管电子枪组件的结构抗振可靠性设计
  • 4.8.1 电子枪结构抗振可靠性优化设计
  • 4.8.2 工艺优化设计及共振响应分析
  • 4.9 行波管电子枪材料热物理性能参数
  • 参考文献
  • 英文缩略词及术语
  • 主要符号表
  • 第5章 微组装裸芯片筛选与可靠性评价
  • 5.1 KGD技术
  • 5.1.1 KGD流程
  • 5.1.2 KGD老炼方法
  • 5.2 KGD技术发展和应用
  • 5.2.1 KGD技术发展
  • 5.2.2 KGD测试方法和条件
  • 5.2.3 KGD技术标准
  • 5.3 KGD工艺流程
  • 5.4 半导体芯片失效机理、缺陷与可靠性筛选项目
  • 5.4.1 主要失效机理和缺陷
  • 5.4.2 失效模式与可靠性筛选
  • 5.4.3 可靠性筛选项目确定原则
  • 5.5 裸芯片老炼筛选与评价技术
  • 5.5.1 裸芯片筛选流程
  • 5.5.2 老炼筛选应力条件
  • 5.5.3 质量保证要求
  • 5.6 裸芯片临时封装夹具系统
  • 5.6.1 分立器件裸芯片临时封装KGD夹具系统
  • 5.6.2 微波裸芯片临时封装KGD夹具系统
  • 5.7 分立器件裸芯片老炼筛选与可靠性评价案例
  • 5.7.1 裸芯片抗氧化防护
  • 5.7.2 脉冲老炼电路设计
  • 5.7.3 高温烘焙与温度循环试验
  • 5.7.4 裸芯片装配和电参数测量
  • 5.7.5 高温栅偏压试验
  • 5.7.6 串行脉冲功率老炼试验
  • 5.7.7 评价结果与分析
  • 参考文献
  • 英文缩略词及术语
  • 第6章 基于失效物理的元器件故障树构建方法及应用
  • 6.1 元器件故障树分析需求和问题
  • 6.1.1 失效分析、根因分析和归零分析
  • 6.1.2 可靠性设计分析
  • 6.2 故障树分析相关标准
  • 6.2.1 国家标准和国家军用标准标准
  • 6.2.2 IEC标准
  • 6.2.3 NASA应用手册
  • 6.3 故障树、故障事件及其演绎逻辑
  • 6.3.1 故障树模式
  • 6.3.2 故障事件和分辨极限
  • 6.3.3 逻辑门
  • 6.3.4 故障事件的演绎逻辑
  • 6.4 基于失效物理的元器件故障树构建方法
  • 6.4.1 失效物理过程事件及逻辑关系
  • 6.4.2 基于失效物理的故障树构建方法
  • 6.4.3 故障树简化和验证
  • 6.5 元器件多状态故障树及元器件故障信息库
  • 6.5.1 混合集成电路多状态故障树
  • 6.5.2 系统级封装（SiP）组件多状态故障树
  • 6.5.3 密封电磁继电器多状态故障树
  • 6.5.4 低频电连接器多状态故障树
  • 6.5.5 以故障树为载体的元器件故障信息库构建
  • 6.6 元器件FTA及可靠性设计应用
  • 6.6.1 故障树分析基本方法
  • 6.6.2 FTA在可靠性设计分析中的应用
  • 6.6.3 FTA在质量问题归零分析中的应用
  • 6.6.4 元器件故障树分析应用案例
  • 参考文献
  • 英文缩略词及术语
  • 附录A 基于失效物理的可靠性预测方法与标准现状
  • A.1 技术发展与标准现状
  • A.2 标准采纳的失效物理模型及应用特点
  • A.3 标准方法和模型的演变
  • 参考文献
  • 附录B 多热源组件热性能指标及评价方法
  • B.1 范围
  • B.2 规范性引用文件
  • B.3 术语和定义
  • B.4 热性能指标
  • B.4.1 温度位置标识
  • B.4.2 热性能表征参数
  • B.4.3 热性能指标
  • B.5 热性能检测方法
  • B.5.1 检测设备
  • B.5.2 检测方法
  • B.6 热性能评价方法
  • B.6.1 针对短期工作性能要求的极限热性能评价
  • B.6.2 针对长期可靠性要求的降额热性能评价
  • B.7 芯片并列式MCM热模型与热评价案例
  • B.7.1 背景
  • B.7.2 极限热性能参数
  • B.7.3 热阻网络模型
  • B.7.4 VDMOS结温计算模型
  • B.7.5 热仿真提取耦合热阻
  • B.7.6 热测试验证
  • B.7.7 热分析与评价
  • B.8 芯片叠层式MCM热模型与热分析示例
  • B.8.1 芯片叠层结构
  • B.8.2 热阻网络模型
  • B.8.3 结温计算模型
  • B.9 半导体器件热降额应用分析案例解读
  • B.9.1 器件信息
  • B.9.2 器件结温计算
  • B.9.3 短期工作的极限热性能分析
  • B.9.4 长期工作失效率控制的降额热性能分析
  • B.9.5 长期工作寿命要求的降额热性能分析
  • 参考文献
  • 附录C 电子元器件故障树分析方法与程序
  • C.1 范围
  • C.2 规范性引用文件
  • C.3 术语和定义
  • C.4 一般要求
  • C.5 详细要求
  • C.6 元器件故障树符号、事件标号和子树代号说明
  • 参考文献
  • 可靠性技术丛书编委会
展开全部

评分及书评

尚无评分
目前还没人评分

出版方

电子工业出版社

电子工业出版社成立于1982年10月，是国务院独资、工信部直属的中央级科技与教育出版社，是专业的信息技术知识集成和服务提供商。经过三十多年的建设与发展，已成为一家以科技和教育出版、期刊、网络、行业支撑服务、数字出版、软件研发、软科学研究、职业培训和教育为核心业务的现代知识服务集团。出版物内容涵盖了电子信息技术的各个分支及工业技术、经济管理、科普与少儿、社科人文等领域，综合出版能力位居全国出版行业前列。