科技 类型
可以朗读 语音朗读
200千字 字数
2021-09-01 发行日期
展开全部

主编推荐语

基于TSV技术的三维封装能够实现芯片之间的高密度封装。

内容简介

硅通孔（TSV）技术能有效满足高功能芯片超薄、超小、多功能、高性能、低功耗及低成本的封装需求。

本书针对TSV技术本身，介绍了TSV结构、性能与集成流程、TSV单元工艺、圆片级键合技术与应用、圆片减薄与拿持技术、再布线与微凸点技术；基于TSV的封装技术，介绍了2.5D TSV中介层封装技术、3D WLCSP技术与应用、3D集成电路集成工艺与应用、3D集成电路的散热与可靠性。

目录

  • 版权信息
  • 内容简介
  • “集成电路系列丛书”编委会
  • “集成电路系列丛书·集成电路封装测试”编委会
  • “集成电路系列丛书”主编序言
  • 前言
  • 第1章 三维封装发展概述
  • 1.1 封装技术发展
  • 1.2 拓展摩尔定律——3D封装
  • 1.2.1 3D封装驱动力
  • 1.2.2 3D TSV封装优势
  • 1.3 3D封装技术发展趋势
  • 1.4 本书章节概览
  • 第2章 TSV结构、性能与集成流程
  • 2.1 TSV定义和基本结构
  • 2.2 TSV工艺流程概述
  • 2.3 Via-middle技术
  • 2.4 Via-last技术
  • 2.5 其他TSV技术路线
  • 2.6 本章小结
  • 第3章 TSV单元工艺
  • 3.1 TSV刻蚀技术
  • 3.2 TSV侧壁绝缘技术
  • 3.3 TSV黏附层、扩散阻挡层及种子层沉积技术
  • 3.4 TSV电镀填充技术
  • 3.5 TSV平坦化技术
  • 3.6 TSV背面露铜技术
  • 3.7 本章小结
  • 第4章 圆片级键合技术与应用
  • 4.1 圆片级键合与3D封装概述
  • 4.1.1 圆片-圆片键合与芯片-圆片键合
  • 4.1.2 直接键合与间接键合
  • 4.1.3 正面-正面键合与正面-背面键合
  • 4.1.4 圆片级键合与多片/单片3D集成
  • 4.2 介质键合技术
  • 4.2.1 介质键合技术简介
  • 4.2.2 氧化硅亲水性键合
  • 4.2.3 聚合物胶热压键合
  • 4.3 金属圆片键合技术
  • 4.3.1 金属直接键合技术简介
  • 4.3.2 铜-铜热压键合
  • 4.3.3 表面活化键合
  • 4.4 金属/介质混合键合技术
  • 4.4.1 混合键合技术简介
  • 4.4.2 铜/氧化硅混合键合
  • 4.4.3 铜/聚合物胶混合键合
  • 4.4.4 微凸点/聚合物胶混合键合
  • 4.5 本章小结
  • 第5章 圆片减薄与拿持技术
  • 5.1 圆片减薄技术
  • 5.1.1 圆片减薄工艺
  • 5.1.2 圆片切边工艺
  • 5.1.3 中心区域减薄无载体薄圆片拿持技术
  • 5.2 圆片临时键合技术
  • 5.2.1 临时键合胶的选择
  • 5.2.2 载片的选择
  • 5.2.3 临时键合质量的评价标准
  • 5.3 圆片拆键合技术
  • 5.3.1 热滑移方法
  • 5.3.2 紫外光剥离方法
  • 5.3.3 湿法溶解方法
  • 5.3.4 叠层胶体纵向分离方法
  • 5.3.5 区域键合方法
  • 5.3.6 激光拆键合方法
  • 5.4 临时键合材料
  • 5.4.1 热滑移拆键合材料
  • 5.4.2 机械拆临时键合材料
  • 5.4.3 紫外激光拆键合材料
  • 5.4.4 红外激光拆键合材料
  • 5.5 本章小结
  • 第6章 再布线与微凸点技术
  • 6.1 再布线技术
  • 6.1.1 圆片级扇入型封装再布线技术
  • 6.1.2 圆片级扇出型封装再布线技术
  • 6.2 钎料凸点技术
  • 6.2.1 钎料凸点制备
  • 6.2.2 基于钎料凸点的2.5D/3D封装
  • 6.3 铜柱凸点技术
  • 6.3.1 铜柱凸点简介
  • 6.3.2 铜柱凸点互连机制及应用
  • 6.4 铜凸点技术
  • 6.4.1 铜凸点简介
  • 6.4.2 铜凸点互连机制及应用
  • 6.5 本章小结
  • 第7章 2.5D TSV中介层封装技术
  • 7.1 TSV中介层的结构与特点
  • 7.2 TSV中介层技术发展与应用
  • 7.3 TSV中介层电性能分析
  • 7.3.1 TSV的传输特性研究
  • 7.3.2 中介层互连线传输特性分析
  • 7.3.3 TSV中介层信号完整性仿真分析
  • 7.3.4 TSV中介层电源完整性仿真分析
  • 7.3.5 TSV中介层版图设计
  • 7.4 2.5D TSV中介层封装热设计与仿真
  • 7.4.1 Z方向等效导热系数
  • 7.4.2 X-Y方向等效导热系数
  • 7.4.3 中介层对封装热阻的影响
  • 7.5 2.5D TSV中介层封装研究实例
  • 7.5.1 TSV中介层电路结构设计
  • 7.5.2 TSV中介层工艺流程
  • 7.5.3 有机基板设计与仿真
  • 7.5.4 中介层工艺研究
  • 7.6 本章小结
  • 第8章 3D WLCSP技术与应用
  • 8.1 基于TSV和圆片键合的3D WLCSP技术
  • 8.1.1 图像传感器圆片级封装技术
  • 8.1.2 车载图像传感器产品圆片级封装技术
  • 8.1.3 垂直TSV技术图像传感器圆片级封装工艺
  • 8.2 基于Via-last型TSV的埋入硅基3D扇出型封装技术
  • 8.2.1 封装工艺流程
  • 8.2.2 封装工艺研究
  • 8.2.3 背面制造工艺流程
  • 8.3 3D圆片级扇出型封装技术
  • 8.4 本章小结
  • 第9章 3D集成电路集成工艺与应用
  • 9.1 3D集成电路集成方法
  • 9.1.1 C2C堆叠
  • 9.1.2 C2W堆叠
  • 9.1.3 W2W堆叠
  • 9.2 存储器3D集成
  • 9.2.1 三星动态随机存取存储器
  • 9.2.2 美光混合立方存储器
  • 9.2.3 海力士高带宽内存
  • 9.3 异质芯片3D集成
  • 9.3.1 异质集成射频器件
  • 9.3.2 集成光电子器件
  • 9.4 无凸点3D集成电路集成
  • 9.5 3D集成模块化整合
  • 9.6 本章小结
  • 第10章 3D集成电路的散热与可靠性
  • 10.1 3D集成电路中的热管理
  • 10.1.1 热阻分析法
  • 10.1.2 有限元分析法
  • 10.2 3D集成电路散热影响因素与改进
  • 10.3 TSV电学可靠性
  • 10.4 TSV噪声耦合
  • 10.5 TSV的热机械可靠性
  • 10.5.1 TSV中的热机械失效
  • 10.5.2 TSV热机械可靠性影响因素
  • 10.6 3D集成电路中的电迁移
  • 10.6.1 电迁移现象
  • 10.6.2 电迁移的基本理论
  • 10.6.3 温度和应力对电迁移的影响
  • 10.6.4 电迁移失效模型
  • 10.6.5 影响电迁移的因素和降低电迁移的措施
  • 10.7 3D集成电路中的热力学可靠性
  • 10.7.1 封装结构对可靠性的影响
  • 10.7.2 3D集成电路中的失效问题
  • 10.7.3 3D集成电路热力学分析与测试
  • 10.8 3D封装中芯片封装交互作用
  • 10.8.1 封装形式对芯片失效的影响
  • 10.8.2 芯片和封装交互影响问题
  • 10.8.3 交互影响分析和设计
  • 10.9 本章小结
  • 参考文献
展开全部

评分及书评

评分不足
2个评分

出版方

电子工业出版社

电子工业出版社成立于1982年10月，是国务院独资、工信部直属的中央级科技与教育出版社，是专业的信息技术知识集成和服务提供商。经过三十多年的建设与发展，已成为一家以科技和教育出版、期刊、网络、行业支撑服务、数字出版、软件研发、软科学研究、职业培训和教育为核心业务的现代知识服务集团。出版物内容涵盖了电子信息技术的各个分支及工业技术、经济管理、科普与少儿、社科人文等领域，综合出版能力位居全国出版行业前列。