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323千字 字数
2022-07-01 发行日期
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主编推荐语

一本了解三维集成电路制造技术的实用书籍。

内容简介

本书立足于全球集成电路技术发展的趋势和技术路线，结合中国科学院微电子研究所积累的研究开发经验，系统介绍了三维集成电路制造工艺、FinFET和纳米环栅器件、三维NAND闪存、新型存储器件、三维单片集成、三维封装等关键核心技术。

本书注重技术的前瞻性和内容的实用性，可供集成电路制造领域的科研人员和工程技术人员阅读使用，也可作为高等学校相关专业的教学用书。

目录

  • 版权信息
  • 前言
  • 作者简介
  • 第1章 绪论
  • 1.1 集成电路发展历程
  • 1.1.1 晶体管的发明
  • 1.1.2 集成电路
  • 1.1.3 摩尔定律和PPAC
  • 1.1.4 技术代演化
  • 1.2 三维集成技术发展趋势
  • 1.2.1 先进制造技术
  • 1.2.2 新型三维逻辑器件
  • 1.2.3 新型三维存储器件
  • 1.2.4 三维封装技术
  • 1.3 三维集成技术面临的挑战
  • 1.4 阅读指引
  • 参考文献
  • 第2章 三维集成电路制造基础
  • 2.1 三维器件模型
  • 2.2 三维器件光刻工艺
  • 2.2.1 光刻工艺原理
  • 2.2.2 先进光刻工艺在三维器件集成中的应用
  • 2.2.3 光刻工艺在三维器件集成中面临的挑战
  • 2.3 三维器件薄膜工艺
  • 2.3.1 薄膜工艺种类及原理
  • 2.3.2 薄膜工艺在三维器件集成中的应用
  • 2.3.3 薄膜工艺在三维器件集成中面临的挑战
  • 2.4 三维器件刻蚀工艺
  • 2.4.1 刻蚀工艺原理
  • 2.4.2 刻蚀工艺在三维器件集成中的应用
  • 2.4.3 刻蚀工艺在三维器件集成中面临的挑战
  • 2.5 三维器件离子注入与热退火工艺
  • 2.5.1 离子注入与热退火原理
  • 2.5.2 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中的应用
  • 2.5.3 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中面临的挑战
  • 2.6 三维器件清洗工艺
  • 2.6.1 清洗及湿法刻蚀工艺原理
  • 2.6.2 清洗工艺在三维器件集成中的应用
  • 2.6.3 清洗工艺在三维器件集成中面临的挑战
  • 2.7 三维器件化学机械平坦化工艺
  • 2.7.1 化学机械平坦化工艺原理
  • 2.7.2 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中的应用
  • 2.7.3 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中面临的挑战
  • 参考文献
  • 第3章 三维FinFET器件技术
  • 3.1 三维FinFET器件
  • 3.1.1 器件原理
  • 3.1.2 结构设计与工艺仿真
  • 3.2 三维FinFET关键技术模块
  • 3.2.1 体硅Fin制备工艺
  • 3.2.2 浅槽隔离
  • 3.2.3 三维栅极与侧墙结构
  • 3.2.4 外延与沟道应变工程
  • 3.2.5 三维高κ金属栅技术
  • 3.2.6 低阻接触技术
  • 3.3 集成工艺与特性优化
  • 3.3.1 工艺集成与器件特性
  • 3.3.2 特性优化技术
  • 3.4 新型FinFET器件
  • 3.4.1 体硅介质隔离FinFET器件
  • 3.4.2 S-FinFET器件
  • 参考文献
  • 第4章 纳米环栅器件技术
  • 4.1 纳米环栅器件
  • 4.1.1 水平堆叠纳米环栅器件
  • 4.1.2 其他纳米环栅器件
  • 4.2 纳米环栅器件关键技术模块
  • 4.2.1 多周期叠层外延技术
  • 4.2.2 内侧墙技术
  • 4.2.3 沟道释放技术
  • 4.2.4 沟道应变技术
  • 4.2.5 源漏接触技术
  • 4.2.6 自对准栅极技术
  • 4.3 纳米环栅器件集成工艺
  • 4.3.1 水平堆叠纳米环栅器件集成工艺
  • 4.3.2 工艺波动影响
  • 4.3.3 多阈值调控
  • 4.3.4 高迁移率沟道纳米环栅器件集成工艺
  • 4.3.5 垂直纳米环栅器件集成工艺
  • 参考文献
  • 第5章 三维NAND闪存技术
  • 5.1 三维NAND闪存器件及结构
  • 5.1.1 NAND闪存器件原理
  • 5.1.2 平面NAND闪存器件发展的挑战
  • 5.1.3 三维NAND闪存结构设计
  • 5.2 集成工艺及关键技术模块
  • 5.2.1 层膜沉积和台阶工艺
  • 5.2.2 沟道孔模块
  • 5.2.3 隔离模块
  • 5.2.4 接触孔模块
  • 5.2.5 三维NAND集成工艺
  • 5.3 三维NAND工作特性及可靠性
  • 5.3.1 三维NAND工作特性
  • 5.3.2 三维NAND可靠性
  • 5.4 三维NAND国内外进展
  • 5.4.1 国外三维NAND存储器的研究现状
  • 5.4.2 国内三维NAND存储器的研究现状
  • 参考文献
  • 第6章 三维新型存储技术
  • 6.1 三维RRAM集成技术
  • 6.1.1 RRAM的器件结构及工作原理
  • 6.1.2 三维RRAM的发展现状
  • 6.1.3 三维RRAM的技术挑战与展望
  • 6.2 三维MRAM集成技术
  • 6.2.1 MRAM的器件结构及工作原理
  • 6.2.2 三维MRAM的发展现状
  • 6.2.3 三维MRAM的技术挑战与展望
  • 6.3 三维PCRAM集成技术
  • 6.3.1 三维PCRAM的器件结构及工作原理
  • 6.3.2 三维PCRAM的发展现状
  • 6.3.3 三维PCRAM的技术挑战与展望
  • 6.4 三维DRAM集成技术
  • 6.4.1 DRAM的器件结构及工作原理
  • 6.4.2 三维DRAM的发展现状
  • 6.4.3 三维DRAM的技术挑战与展望
  • 参考文献
  • 第7章 三维单片集成技术
  • 7.1 三维单片集成
  • 7.1.1 三维单片集成的概念
  • 7.1.2 三维单片集成的发展历程
  • 7.1.3 三维单片集成的技术挑战
  • 7.2 三维单片同质集成技术
  • 7.2.1 片上晶圆键合工艺
  • 7.2.2 片上低温CMOS集成与热预算管理技术
  • 7.2.3 三维电路设计与层间布局技术
  • 7.3 三维单片异质集成技术
  • 7.3.1 片上异质材料沉积工艺
  • 7.3.2 片上逻辑与存储器件
  • 7.3.3 片上异质集成技术
  • 7.4 新型三维集成系统
  • 参考文献
  • 第8章 三维封装技术
  • 8.1 Si基转接板及2.5D/3D封装技术
  • 8.1.1 2.5D TSV转接板制造技术
  • 8.1.2 有源TSV转接板技术
  • 8.1.3 CoWoS技术
  • 8.1.4 Foveros封装技术
  • 8.1.5 SoIC技术
  • 8.2 晶圆级扇出型封装技术
  • 8.2.1 晶圆级扇出型封装技术的形成与发展
  • 8.2.2 晶圆级扇出型封装的技术挑战
  • 8.2.3 嵌入式晶圆级球栅阵列封装技术
  • 8.2.4 集成晶圆级扇出型封装技术
  • 8.2.5 Si基埋入式扇出型封装技术
  • 8.2.6 异质集成扇出型封装技术
  • 8.3 基板及埋入封装技术
  • 8.3.1 细线路基板技术
  • 8.3.2 基板埋入技术
  • 8.3.3 基板扇出技术
  • 参考文献
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出版方

电子工业出版社

电子工业出版社成立于1982年10月，是国务院独资、工信部直属的中央级科技与教育出版社，是专业的信息技术知识集成和服务提供商。经过三十多年的建设与发展，已成为一家以科技和教育出版、期刊、网络、行业支撑服务、数字出版、软件研发、软科学研究、职业培训和教育为核心业务的现代知识服务集团。出版物内容涵盖了电子信息技术的各个分支及工业技术、经济管理、科普与少儿、社科人文等领域，综合出版能力位居全国出版行业前列。