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238千字 字数
2021-12-01 发行日期
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主编推荐语

本书给出了100种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50种制程剖面结构。

内容简介

本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS，以及LV/HV兼容BCD制造技术。

全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和它所提供的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。

目录

  • 版权信息
  • 内容简介
  • 作者简介
  • 前言
  • 第1章 LSI/VLSI制造基本技术
  • 1.1 基础工艺技术
  • 1.1.1 基础工艺技术
  • 1.1.2 工艺制程
  • 1.1.3 工艺一体化
  • 1.2 器件隔离技术
  • 1.2.1 LOCOS隔离
  • 1.2.2 浅槽隔离
  • 1.2.3 PN结隔离
  • 1.3 衬底与阱技术
  • 1.3.1 CMOS工艺与阱的形成
  • 1.3.2 可靠性与阱技术
  • 1.3.3 外延与SOI衬底
  • 1.4 栅与源、漏结的形成技术
  • 1.4.1 栅工艺
  • 1.4.2 源、漏结构的形成
  • 1.4.3 漏极技术
  • 1.5 接触的形成与多层布线技术
  • 1.5.1 接触的形成
  • 1.5.2 金属化系统
  • 1.5.3 多层布线工艺与平坦化技术
  • 1.6 BiCMOS技术
  • 1.7 LV/HV兼容技术
  • 1.7.1 LV/HV兼容CMOS
  • 1.7.2 LV/HV兼容BiCMOS
  • 1.7.3 LV/HV兼容BCD
  • 1.8 CMOS集成电路工艺设计
  • 1.8.1 硅衬底参数设计
  • 1.8.2 栅介质材料
  • 1.8.3 栅电极材料
  • 1.8.4 阈值电压设计
  • 1.8.5 工艺参数设计
  • 1.9 CMOS集成电路设计与制造技术关系
  • 1.9.1 芯片结构及其参数
  • 1.9.2 芯片结构技术
  • 1.9.3 芯片制造
  • 第2章 单阱CMOS芯片与制程剖面结构
  • 2.1 P-Well CMOS（A）
  • 2.1.1 芯片平面/剖面结构
  • 2.1.2 工艺技术
  • 2.1.3 工艺制程
  • 2.2 P-Well CMOS（B）
  • 2.2.1 芯片剖面结构
  • 2.2.2 工艺技术
  • 2.2.3 工艺制程
  • 2.3 P-Well CMOS（C）
  • 2.3.1 芯片剖面结构
  • 2.3.2 工艺技术
  • 2.3.3 工艺制程
  • 2.4 HV P-Well CMOS
  • 2.4.1 芯片剖面结构
  • 2.4.2 工艺技术
  • 2.4.3 工艺制程
  • 2.5 N-Well CMOS（A）
  • 2.5.1 芯片平面/剖面结构
  • 2.5.2 工艺技术
  • 2.5.3 工艺制程
  • 2.6 N-Well CMOS（B）
  • 2.6.1 芯片剖面结构
  • 2.6.2 工艺技术
  • 2.6.3 工艺制程
  • 2.7 N-Well CMOS（C）
  • 2.7.1 芯片剖面结构
  • 2.7.2 工艺技术
  • 2.7.3 工艺制程
  • 2.8 HV N-Well CMOS
  • 2.8.1 芯片剖面结构
  • 2.8.2 工艺技术
  • 2.8.3 工艺制程
  • 第3章 双阱CMOS芯片与制程剖面结构
  • 3.1 亚微米CMOS（A）
  • 3.1.1 芯片平面/剖面结构
  • 3.1.2 工艺技术
  • 3.1.3 工艺制程
  • 3.2 亚微米CMOS（B）
  • 3.2.1 芯片剖面结构
  • 3.2.2 工艺技术
  • 3.2.3 工艺制程
  • 3.3 亚微米CMOS（C）
  • 3.3.1 芯片剖面结构
  • 3.3.2 工艺技术
  • 3.3.3 工艺制程
  • 3.4 深亚微米CMOS（A）
  • 3.4.1 芯片剖面结构
  • 3.4.2 工艺技术
  • 3.4.3 工艺制程
  • 3.5 深亚微米CMOS（B）
  • 3.5.1 芯片剖面结构
  • 3.5.2 工艺技术
  • 3.5.3 工艺制程
  • 3.6 深亚微米CMOS（C）
  • 3.6.1 芯片剖面结构
  • 3.6.2 工艺技术
  • 3.6.3 工艺制程
  • 3.7 纳米CMOS（A）
  • 3.7.1 芯片剖面结构
  • 3.7.2 工艺技术
  • 3.7.3 工艺制程
  • 3.8 纳米CMOS（B）
  • 3.8.1 芯片剖面结构
  • 3.8.2 工艺技术
  • 3.8.3 工艺制程
  • 3.9 纳米CMOS（C）
  • 3.9.1 芯片剖面结构
  • 3.9.2 工艺技术
  • 3.9.3 工艺制程
  • 3.10 纳米CMOS（D）
  • 3.10.1 芯片剖面结构
  • 3.10.2 工艺技术
  • 3.10.3 工艺制程
  • 第4章 LV/HV兼容CMOS芯片与制程剖面结构
  • 4.1 LV/HV P-Well CMOS（A）
  • 4.1.1 芯片平面/剖面结构
  • 4.1.2 工艺技术
  • 4.1.3 工艺制程
  • 4.2 LV/HV P-Well CMOS（B）
  • 4.2.1 芯片剖面结构
  • 4.2.2 工艺技术
  • 4.2.3 工艺制程
  • 4.3 LV/HV P-Well CMOS（C）
  • 4.3.1 芯片剖面结构
  • 4.3.2 工艺技术
  • 4.3.3 工艺制程
  • 4.4 LV/HV N-Well CMOS（A）
  • 4.4.1 芯片剖面结构
  • 4.4.2 工艺技术
  • 4.4.3 工艺制程
  • 4.5 LV/HV N-Well CMOS（B）
  • 4.5.1 芯片剖面结构
  • 4.5.2 工艺技术
  • 4.5.3 工艺制程
  • 4.6 LV/HV N-Well CMOS（C）
  • 4.6.1 芯片剖面结构
  • 4.6.2 工艺技术
  • 4.6.3 工艺制程
  • 4.7 LV/HV Twin-Well CMOS（A）
  • 4.7.1 芯片剖面结构
  • 4.7.2 工艺技术
  • 4.7.3 工艺制程
  • 4.8 LV/HV Twin-Well CMOS（B）
  • 4.8.1 芯片剖面结构
  • 4.8.2 工艺技术
  • 4.8.3 工艺制程
  • 第5章 BiCMOS芯片与制程剖面结构
  • 5.1 P-Well BiCMOS[C]
  • 5.1.1 芯片平面/剖面结构
  • 5.1.2 工艺技术
  • 5.1.3 工艺制程
  • 5.2 P-Well BiCMOS[B]-（A）
  • 5.2.1 芯片剖面结构
  • 5.2.2 工艺技术
  • 5.2.3 工艺制程
  • 5.3 P-Well BiCMOS[B]-（B）
  • 5.3.1 芯片剖面结构
  • 5.3.2 工艺技术
  • 5.3.3 工艺制程
  • 5.4 N-Well BiCMOS[C]
  • 5.4.1 芯片剖面结构
  • 5.4.2 工艺技术
  • 5.4.3 工艺制程
  • 5.5 N-Well BiCMOS[B]-（A）
  • 5.5.1 芯片剖面结构
  • 5.5.2 工艺技术
  • 5.5.3 工艺制程
  • 5.6 N-Well BiCMOS[B]-（B）
  • 5.6.1 芯片剖面结构
  • 5.6.2 工艺技术
  • 5.6.3 工艺制程
  • 5.7 Twin-Well BiCMOS[B]-（A）
  • 5.7.1 芯片剖面结构
  • 5.7.2 工艺技术
  • 5.7.3 工艺制程
  • 5.8 Twin-Well BiCMOS[B]-（B）
  • 5.8.1 芯片剖面结构
  • 5.8.2 工艺技术
  • 5.8.3 工艺制程
  • 第6章 LV/HV兼容BiCMOS芯片与制程剖面结构
  • 6.1 LV/HV P-Well BiCMOS[C]
  • 6.1.1 芯片平面/剖面结构
  • 6.1.2 工艺技术
  • 6.1.3 工艺制程
  • 6.2 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-（A）
  • 6.2.1 芯片剖面结构
  • 6.2.2 工艺技术
  • 6.2.3 工艺制程
  • 6.3 LV/HV P-Well BiCMOS[B]-（B）
  • 6.3.1 芯片剖面结构
  • 6.3.2 工艺技术
  • 6.3.3 工艺制程
  • 6.4 LV/HV N-Well BiCMOS[C]
  • 6.4.1 芯片剖面结构
  • 6.4.2 工艺技术
  • 6.4.3 工艺制程
  • 6.5 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-（A）
  • 6.5.1 芯片剖面结构
  • 6.5.2 工艺技术
  • 6.5.3 工艺制程
  • 6.6 LV/HV N-Well BiCMOS[B]-（B）
  • 6.6.1 芯片剖面结构
  • 6.6.2 工艺技术
  • 6.6.3 工艺制程
  • 6.7 LV/HV Twin-Well BiCMOS[C]
  • 6.7.1 芯片剖面结构
  • 6.7.2 工艺技术
  • 6.7.3 工艺制程
  • 6.8 LV/HV Twin-Well BiCMOS[B]
  • 6.8.1 芯片剖面结构
  • 6.8.2 工艺技术
  • 6.8.3 工艺制程
  • 第7章 LV/HV兼容BCD芯片与制程剖面结构
  • 7.1 LV/HV P-Well BCD[C]
  • 7.1.1 芯片平面/剖面结构
  • 7.1.2 工艺技术
  • 7.1.3 工艺制程
  • 7.2 LV/HV P-Well BCD[B]-（A）
  • 7.2.1 芯片剖面结构
  • 7.2.2 工艺技术
  • 7.2.3 工艺制程
  • 7.3 LV/HV P-Well BCD[B]-（B）
  • 7.3.1 芯片剖面结构
  • 7.3.2 工艺技术
  • 7.3.3 工艺制程
  • 7.4 LV/HV N-Well BCD[C]
  • 7.4.1 芯片剖面结构
  • 7.4.2 工艺技术
  • 7.4.3 工艺制程
  • 7.5 LV/HV N-Well BCD[B]-（A）
  • 7.5.1 芯片剖面结构
  • 7.5.2 工艺技术
  • 7.5.3 工艺制程
  • 7.6 LV/HV N-Well BCD[B]-（B）
  • 7.6.1 芯片剖面结构
  • 7.6.2 工艺技术
  • 7.6.3 工艺制程
  • 7.7 LV/HV N-Well BCD[B]-（C）
  • 7.7.1 芯片剖面结构
  • 7.7.2 工艺技术
  • 7.7.3 工艺制程
  • 7.8 LV/HV Twin-Well BCD[C]
  • 7.8.1 芯片剖面结构
  • 7.8.2 工艺技术
  • 7.8.3 工艺制程
  • 7.9 LV/HV Twin-Well BCD[B]-（A）
  • 7.9.1 芯片剖面结构
  • 7.9.2 工艺技术
  • 7.9.3 工艺制程
  • 7.10 LV/HV Twin-Well BCD[B]-（B）
  • 7.10.1 芯片剖面结构
  • 7.10.2 工艺技术
  • 7.10.3 工艺制程
  • 附录A 术语缩写对照
  • 附录B 简要说明
  • 参考文献
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出版方

电子工业出版社

电子工业出版社成立于1982年10月，是国务院独资、工信部直属的中央级科技与教育出版社，是专业的信息技术知识集成和服务提供商。经过三十多年的建设与发展，已成为一家以科技和教育出版、期刊、网络、行业支撑服务、数字出版、软件研发、软科学研究、职业培训和教育为核心业务的现代知识服务集团。出版物内容涵盖了电子信息技术的各个分支及工业技术、经济管理、科普与少儿、社科人文等领域，综合出版能力位居全国出版行业前列。